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Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs p. 905 J.L. Pelouard, P. Hesto, J.P. Praseuth and L. Goldstein DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208090500 AbstractPDF (1.024 MB)References
BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques p. 913 A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy and S. Nacer DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208091300 AbstractPDF (614.9 KB)References
Analyse numérique du fonctionnement des structures lasers à cavités couplées p. 919 L. Vassilieff, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy, H. Martinot and G. Vassilieff DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208091900 AbstractPDF (1.286 MB)References
MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection p. 931 D. Pascal, P. Dansas, C. Bru and S. Laval DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208093100 AbstractPDF (501.0 KB)References
Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide p. 935 M. Perotin, L. Gouskov, H. Luquet, A. Jean, P. Silvestre, D. Magallon, C. Martinez and G. Bougnot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208093500 AbstractPDF (607.7 KB)References
