Chauffage -ultra-rapide par dégagement contrôlé de la chaleur de mélange dans des composites de multicouches fines métal-métal p. 707 F. Bordeaux, A.R. Yavari et P. Desré DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208070700 RésuméPDF (868.2 KB)Références
Influence of various hydrodynamic regimes in a melt on a solidification interface p. 713 J.J. Favier, A. Rouzaud et J. Coméra DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208071300 RésuméPDF (1.220 MB)Références
Relations conductivité/microstructure dans des céramiques composites superconducteur (NASICON)/verre isolant p. 719 Ph. Colomban DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208071900 RésuméPDF (1.684 MB)Références
Effect of elaboration velocity on magnetic properties of melt spun amorphous metal ribbons p. 729 G. Le Gal, M. Henry et F. Varret DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208072900 RésuméPDF (777.4 KB)Références
Intérêts et difficultés de la mise en œuvre du traitement thermique des matériaux métalliques par lasers p. 735 J. Merlin et J. Dietz DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208073500 RésuméPDF (1.982 MB)Références
Time displacement for a wall-stabilized electric arc in a transverse magnetic field. p. 747 J.R. Ramos-Barrado et P. Galan-Montenegro DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208074700 RésuméPDF (621.9 KB)Références
Spatial variation of negative ion density in a volume H- ion source p. 753 P. Devynck, M. Bacal, J. Bruneteau et F. Hillion DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208075300 RésuméPDF (1001 KB)Références
Etude du réisolement d'un disjoncteur à vide pour impulsion de courant intense haute fréquence p. 761 A. Delmas, A. Dongfack et C. Rioux DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208076100 RésuméPDF (856.4 KB)Références
Electrical investigation of the transverse discharge of U.V. nitrogen gas laser p. 767 G. Lespinasse, P. Pignolet et B. Held DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208076700 RésuméPDF (1.109 MB)Références
X-ray reflectivity of a Langmuir monolayer on water p. 775 L. Bosio, J.J. Benattar et F. Rieutord DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208077500 RésuméPDF (596.3 KB)Références
Identification de la réponse d'un capteur magnétique plat de proximité p. 779 P. Billaudel, J.C. Emond, V. Ménétrier et G. Villermain-Lecolier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208077900 RésuméPDF (596.9 KB)Références
Semi-Conducteurs III-V et Microélectronique p. 785 Robert Adde et Jean-Claude Charpentier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208078500 RésuméPDF (77.73 KB)
III-V Semiconductors and Microelectronics p. 786 Robert Adde et Jean-Claude Charpentier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208078600 RésuméPDF (65.49 KB)
Electron states and recombination velocities at semiconductor surfaces and interfaces p. 789 M. Lannoo DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208078900 RésuméPDF (1.042 MB)Références
Etude par photoémission de la passivation de GaAs en plasmas multipolaires d'azote et d'hydrogène p. 797 P. Friedel, J.P. Landesman et R. Mabon DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208079700 RésuméPDF (1018 KB)Références
Origine du bruit dans les dispositifs à semiconducteurs p. 803 J.P. Nougier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208080300 RésuméPDF (2.595 MB)Références
Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs p. 821 J.C. Harmand, F. Alexandre et J. Beerens DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208082100 RésuméPDF (827.6 KB)Références
Application de la technique des oscillations d'intensité de diffraction électronique en incidence rasante à la croissance des semi-conducteurs III-V par épitaxie par jets moléculaires p. 827 F. Turco, J. Massies et J.P. Contour DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208082700 RésuméPDF (1.412 MB)Références
Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb p. 837 G. Bougnot, J. Bougnot, F. Delannoy, A. Foucaran, P. Grosse, M. Marjan, F. Pascal et F. Roumanille DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208083700 RésuméPDF (1.766 MB)Références
α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs p. 845 M. Secoue, B. Guenais et A. Guivarc'h DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208084500 RésuméPDF (865.4 KB)Références
Mise en évidence de complexes associés au silicium et à l'hydrogène entrant dans le mécanisme de neutralisation des donneurs dans GaAs:Si(n) hydrogéné p. 851 J. Chevallier, A. Jalil, J.C. Pesant, R. Mostefaoui, B. Pajot, P. Murawala et R. Azoulay DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208085100 RésuméPDF (1.199 MB)Références
Microstructures III-V sous pression hydrostatique p. 859 P. Lefebvre, B. Gil et H. Mathieu DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208085900 RésuméPDF (1.172 MB)Références
Fluctuations de composition dans des systèmes GaAs/GaAlAs observées par microscopie électronique en transmission p. 867 H. Heral et A. Rocher DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208086700 RésuméPDF (907.0 KB)Références
Spectres de sections efficaces absolues de photo-ionisation des ions de transition 3d dans InP p. 873 G. Bremond, G. Guillot et A. Nouailhat DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208087300 RésuméPDF (1.114 MB)Références
Propriétés physiques des structures MIS réalisées sur InP(n) en utilisant un oxyde bicouche comme isolant p. 881 B. Bouchikhi, C. Michel, C. Boutrit et B. Lepley DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208088100 RésuméPDF (712.0 KB)Références
Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique p. 885 E. Jalaguier, J. Joseph, Y. Robach, E. Bergignat et G. Hollinger DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208088500 RésuméPDF (871.6 KB)Références
On the identification of the double donor state of EL2 in p type GaAs p. 891 A. Bencherifa, G. Brémond, A. Nouailhat, G. Guillot, A. Guivarc'h et A. Regreny DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208089100 RésuméPDF (740.7 KB)Références
Bruit en 1/f3/2 dans les structures GaAs. Modèle du bruit thermique de surface p. 897 M. Pouysegur et J. Graffeuil DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208089700 RésuméPDF (1006 KB)Références
Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs p. 905 J.L. Pelouard, P. Hesto, J.P. Praseuth et L. Goldstein DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208090500 RésuméPDF (1.024 MB)Références
BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques p. 913 A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy et S. Nacer DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208091300 RésuméPDF (614.9 KB)Références
Analyse numérique du fonctionnement des structures lasers à cavités couplées p. 919 L. Vassilieff, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy, H. Martinot et G. Vassilieff DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208091900 RésuméPDF (1.286 MB)Références
MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection p. 931 D. Pascal, P. Dansas, C. Bru et S. Laval DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208093100 RésuméPDF (501.0 KB)Références
Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide p. 935 M. Perotin, L. Gouskov, H. Luquet, A. Jean, P. Silvestre, D. Magallon, C. Martinez et G. Bougnot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208093500 RésuméPDF (607.7 KB)Références
